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【头条】集微咨询:超两千亿元签约项目“抢跑”第三代半导体的扩张五年
发布日期:2023-04-28 阅读次数:

  - 自2017年至今,近五年时间内,全国超20个省、覆盖超40个城市,新签约落地第三代半导体项目超60个,总投资金额超2000亿元。

  - 尽管全国已布局第三代半导体项目众多,但真正量产的并不多,加之下游应用市场增长,国内现有产品商业化供给是无法满足市场需求,尤其是SiC电力电子器件和GaN射频器件存在较大缺口。

  当前,第三代半导体产业发展处于爆发前夜,全球资本加速进入,产业、资本同处“抢跑”阶段。

  国际第三代半导体主要企业大力完善产业布局,通过调整业务领域、整合并购等方式,逐步建立行业壁垒。而国内企业强化布局,第三代半导体产业极速扩张,产线陆续落地、投产,产能逐步释放,但目前供给存在不足。

  集微咨询(JW insights)观察,尽管我国布局第三代半导体产业已多年,但新一轮的产业扩张,始于2017年前后,2018年扩张态势加速明显。

  第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)发布的“第三代半导体产业发展报告(2017)”显示,2017年属于第三代半导体材料的新时代正在开启。2017年,无论是在国际还是国内市场,第三代半导体市场端推进速度显著加快,使得2017年成为第三代半导体产品开始实质性市场渗透的一年。

  同时,2017年,国内投资扩产热度空前,扩产项目共计10起,总投资金额达到700亿元之巨,充分凸显在“大基金”带动下,国家、地方、企业联动的投融资生态圈正在发挥积极作用。

  集微咨询(JW insights)数据显示,自2017年至今,近五年时间内,全国超20个省、覆盖超40个城市,新签约落地第三代半导体项目超60个,总投资金额超2000亿元。

  集微咨询(JW insights)不完全统计,2019年,新签约第三代半导体产业项目超6个,其中披露投资额的项目中,4个项目投资额为10亿元左右,鲜有百亿级产业项目落地。

  2020年开始,百亿级第三代半导体项目(含产业园)纷纷签约落地,当年新签项目超15个(含产业园),总投资额超800亿元,超百亿元项目数占比超25%。

  2021年上半年,新签约第三代半导体产业项目已超11个,全年有超越2020年签约数量之势,但总投资规模恐难及2020年。今年新签约第三代半导体项目,披露投资额的极少,从项目信息可判断,投资额超百万的项目占比或低于15%。

  集微咨询(JW insights)统计,近5年签约落地项目中,GaN项目数量占比30%,SiC项目数量占比63%,其他合并项目数量占比7%。

  从投资额看,SiC项目总投资金额占比约73%,GaN项目总投资金额占比18.7%,其他合并项目投资占比8.1%。

  在落地项目“爆发增长”的2020年,第三代半导体落地项目中,SiC项目数占比约68%,GaN项目数占比约23%,其他合并项目占比约为9%。

  集微咨询(JW insights)认为,以 SiC 和 GaN 为代表的第三代半导体在新能源汽车、5G等领域不断取得突破,2020 年全球第三代半导体市场总体保持增长,受益于电力电子市场需求增长、政策红利加持、民间资本关注等因素,国内第三代半导体项目也于2020年呈现“爆发性”落地。经过几年的发展,进入2021年后,第三代半导体落地项目渐有降温趋势,国内第三代半导体产业有望逐渐由“导入期” 向“成长期”过渡。

  从10亿元产线到百亿级巨头落地,第三代半导体领域,龙头企业地位逐渐确立,卡位争夺日趋激烈。

  近五年,新签约第三代半导体项目超70个,其中百亿元以上的项目占比7%,50亿元以上占比12%,涌现三安、天岳等龙头。

  同样,也不乏类似中鸿新晶等投资额巨大,但项目背后实力及进展信息较少的项目。

  集微咨询(JW insights)认为,如今第三代半导体在中国可谓是炙手可热、遍地开花。

  目前,国内SiC商业化导电型衬底与以4英寸为主,逐步向6英寸过渡;半绝缘衬底以4英寸为主。能批量生产 SiC 单晶衬底的公司主要有天科合达、山东天岳、烁科晶体、同光晶体、中科钢研、世纪金光、中电化合物等公司。SiC 外延片方面,瀚天天成、东莞天域除满足国内市场需求外,还有部分外销能力。中电科55 所、中电科13所具备SiC外延生产能力,但主要是自用。

  国内商业化的GaN衬底尺寸以2英寸为主,4英寸实现小批量出货,Si基GaN外延片主流尺寸为6英寸,英诺赛科率先实现8英寸GaN-on-Si外延材料及晶圆制造大规模量产。

  尽管全国已布局第三代半导体项目众多,但由于产线建设调试周期较长、项目烂尾等问题,真正量产的并不多;加之下游应用市场增长,国内现有产品商业化供给是无法满足市场需求,尤其是SiC电力电子器件和GaN射频器件存在较大缺口,且国内企业产品成本、性能等方面竞争力不足,因此,我国第三代半导体各环节国产化率较低,有数据显示,目前超过八成的产品依赖进口。

  集微咨询(JW insights)认为,伴随第三代半导体产线大量落地、企业成长,产业链上下游联动加强,加速产业生态构建。我国第三代半导体供应链的自主保障能力将得到增强,但国内企业的市场竞争力较国际巨头仍有差距。

  国内第三代半导体领域融资活跃度不断走高,受益于政策驱动与市场规模不断扩大,资本市场对第三代半导体产业信心持续增长。集微咨询(JW insights)统计显示,2020年国内第三代半导体领域完成融资近20笔,为六年来最高。截至8月3日,2021年第三代半导体领域完成融资超15笔,下半年资金有望持续涌入该赛道,助推融资数量攀升至新高,进一步推动第三代半导体产业驶入成长快车道。

  集微咨询(JW insights)统计显示,2020年开始,第三代半导体成为融资热门赛道,融资企业数与融资额不断攀升,其中比亚迪半导体在2020年完成多轮融资,A轮及A+轮融资额分别为19亿元、8亿元。2021年,第三代半导体领域融资势头比2020稍有减缓。

  集微网报道,随着4G向5G转型升级,Wi-Fi从802.11ac演进到802.11ax(Wi-Fi 6)标准,无线通讯射频前端模块需求明显增长,未来全球射频前端市场将迎来大规模扩张。市场研究机构预计2023年全球射频前端市场规模将增长至313.10亿美元。此外,受中美贸易摩擦的影响,半导体国产替代成为市场关注的焦点,国内射频前端产业迎来发展的绝佳机会。

  日前,芯百特在集成电路人才聚集的上海市设立了研发运营中心并开始运营,标志着公司影响力将持续扩大,对于提升自身研发创新能力也具有重要和长远的意义。同时,通过与长三角上下游重要客户开展更加紧密的合作,也促使其业务得以实现快速扩张。

  此次设立的上海研发运营中心位于浦东新区星创科技广场,核心团队成员均来自国内外领先的集成电路企业Qualcomm、Qorvo、Skyworks、MTK、卓胜微、长电科技、锐迪科等,在射频前端芯片研发、封装、系统集成、销售、服务等方面,均有非常丰富的经验。

  据悉,芯百特专注于半导体产业链中的芯片设计行业,产品聚焦于新一代无线通讯行业的射频前端芯片,适用于5G、Wi-Fi、IoT等多项标准,广泛应用于消费类电子、通讯设备、医疗电子、汽车电子、物联网、智能设备等领域。自2018年成立以来,芯百特已成功开发了接近50款射频前端芯片, Wi-Fi FEM、Small Cell、UWB定位等产品市场占有率处于国内领先地位,部分产品性能达到国际领先水平,拥有多项自主知识产权。

  在资本的助力下,芯百特完成A轮和A+轮近5,000万元人民币以及B轮近2亿元人民币的融资,进一步夯实资金实力和生产动力,有效助推其在国产芯片市场中脱颖而出。

  技术和实力加身的芯百特因此交出了满意的答卷,目前,其产品主要包括三大类:Wi-Fi FEM主要应用在路由器网通市场;5G Small Cell主要以微基站客户为主;定制类产品包含UWB等市场。在这当中,芯百特Wi-Fi FEM产品覆盖Wi-Fi 4/5/6全系列标准,以及不同功率等级和封装尺寸,为不同客户应用场景提供优化。5G小基站产品覆盖4G/5G等主流国内运营频段,满足移动、联通和电信规划的5G小基站的频段需求。UWB产品定位精度高、安全性高、传输速度高、功耗极低、抗干扰能力强。

  9月12日,据中国信息通信研究院院长、党委副书记余晓晖表示,2021年上半年,全球出现了一轮“缺芯危机”,其中全球手机芯片的供货周期从3个月延长到12个月,主要原因是新的数字终端对芯片的需求出现了大幅增长,尤其是5G手机对射频前端器件的需求量增加超过50%。

  在芯片缺货浪潮下,保证有“好芯”可用,且客户订单能够按时交付的背后,离不开芯百特的提前布局与运筹帷幄。芯百特首先在晶圆厂产能上做了充足的备货准备,其次在封装厂投入自购测试设备,以保障可控交期。面对当前芯片缺货问题,芯百特此前曾对集微网表示,将积极配合客户需求积极备货,缓解客户的供应压力。“一方面会紧密跟进客户需求,做好市场需求量的预估;另一方面从晶圆到封测做好充分的预警机制,最大程度避免缺货。”

  “缺芯”背后也暗藏机遇,随着5G的商用和普及,以及在移动终端设备设计持续小型化的趋势下,射频前端市场将日益蓬勃发展。Yole数据显示,2019年至2025年间,射频前端和连接市场有望实现CAGR为11%的增长,也就是说,2025年全球移动射频前端市场规模有望达到254亿美元,而FEM模块市场将从2019年的26亿美元增长到2025年的46亿美元。

  在巨大的市场需求刺激之下,射频行业有望进入黄金期,与此同时,由于射频前端芯片的研发设计需要深厚的工艺经验和实践积累,纵观全球射频前端市场,目前仍被美系和日系企业占据较大市场份额。Yole Development数据显示,2019年全球前五大射频器件提供商占据了射频前端市场份额的79%,其中包括 Murata(23%)、Skyworks(18%)、Broadcom(14%)、Qorvo(13%)和Qualcomm(11%)。

  随着我国集成电路需求的不断增长、国家对集成电路产业日益重视,我国射频前端产业实现了高速发展,射频前端器件的国产替代趋势也愈演愈烈,都为国内射频厂商提供了极大的发展机遇。作为国内领先的射频企业之一,为顺应2022年晶圆供应的持续紧张,以及疫情明朗后市场复苏对芯片的爆发性增长需求,芯百特大幅增加了人力和财力的投入,用以保证合作伙伴有“芯”可用,保障客户“好芯”能用!

  在研发实力方面,芯百特的技术团队在多家世界领先的集成电路企业(Qualcomm、Qorvo、Skyworks、Samsung等)工作多年,具有丰富的设计、封装、系统集成经验,与国际领先的晶圆厂、封测厂共同研发的系列产品、方案均达到业界领先水平。团队具备CMOS/SOI/GaAs/SiGe/GaN等多种工艺,以及PA/LNA/SW/FEM/Filter/MEMS等多种器件的设计能力,能够兼顾性能和成本,提出创新的设计方案,目前公司具有全面的射频测试设备,并配有WB洁净室、微组装和测试实验室。

  芯百特此次设立的上海研发运营中心拥有良好的创新氛围。按照公司的总体战略,海纳百川,组建崭新的研发团队,吸引高水平的集成电路设计人才和有识之士,不断拓展公司的产品线,为客户提供种类更加齐全、品质更加优良的国产射频前端芯片产品。

  一路高歌猛进的芯百特,在扩大企业规模、拓展产品线的同时,对相关人才的需求自然也日益提升,暖心的福利待遇和极富竞争力的薪资凸显了公司对人才这一核心竞争力的高度重视与诚意。

  2. 休息:每周六和周日、法定节假日、带薪年休假、婚嫁、丧假、产假等假期;

  5. 年终的惊喜:为了感恩小可爱们的辛勤付出,公司会根据经营情况及结合员工自身情况来发放年终奖;

  7. 就爱出去玩:下午茶、生日会、节日活动、员工聚餐、户外拓展、员工旅游等;

  8. 数不清的礼物和奖金:三八、端午、中秋、春节、生日等发放HR精心挑选的礼物,还有非常可观的季度大奖等你来拿哦;

  随着上海研发运营中心的成立,芯百特必将在无线射频前端领域取得更大的突破和进展,继续引领射频前端芯片设计,并在国产替代浪潮中乘势突围,建立“芯”壁垒,造就“中国芯”。

  2. 负责与研发团队合作优化产品设计、封装BOM和制程优化,实现产品良好的品质与可靠性性能;

  4. 超Design产品的风险,方案设计优化,确保有效的验证与监控评估;

  1. 熟悉各项射频指标(功率、增益、EVM、ACPR、谐波等)及对应测量方式;

  4. 熟悉各种射频测试机台(NI、PACS、凌测)的程序开发和调试(程序开发可由原厂或测试厂帮助);

  5. 了解测试厂的相应测试环境(转塔/分选机/导轨/振动碗/socket/ATE/支架等),可以解决简单问题;

  2. 负责RF器件和电路版图设计和封装仿线. 负责射频电路及模块的实验室调试和封装验证,撰写测试文档记录;

  1. 本科生及以上学历,半导体物理和微电子等相关专业的优先,五年以上工作经历;

  2. 熟悉微波射频/电磁场、 模拟电路、信号与系统、通信系统相关知识的优先;

  4. 熟练使用ADS, Cadence和HFSS等设计工具及常用测试设备,较强的版图设计经验和电路测试分析能力的优先;

  7. 熟练掌握实验室测试设备操作和流程,包括网分,频谱仪,信号源,综测仪,探针台等的优先。

  1. 熟悉公司产品的指标参数,配合销售一起产品推广,积极与客户端沟通,建立良好的合作关系;

  2. 负责客户项目的技术支持,支持项目的design-in,跟进客户的项目的进度;

  1. 本科及以上学历,电子相关专业,熟悉射频电路理论,具有PA、LNA、Filter等电路设计及应用经验以及相关背景;

  5. 熟悉原理图及PCB绘制等相关软件工具,能够完成简单的电路设计及修改;

  7. 具有积极主动的工作态度,能吃苦耐劳。有良好的人际关系能力以及良好团队合作能力;

  2. 较强的协同管理与应变能力,合理协助相关部门做好实验室部分的组装、测试工作;

  2. 具有射频,微波和无线通信的背景知识,对IEEE802.11/3GPP等协议及标准,有一定的了解;

  3. 能够熟练使用频谱仪,信号源,网分,wifi测试仪等,进行射频性能的调试和测试;

  年轻、充满活力勇于挑战的芯百特团队真诚的期待您的加入,共同助力中国芯片产业发展,一起来成就梦想!

  集微网消息,据路透社报道,美国总统拜登提名的商务部主管出口政策官员的Alan Estevez周二表示,他将中国电信公司华为视为国家安全威胁,并希望将其留在贸易黑名单,除非“事情出现变化”。

  不过,他也承诺查看荣耀终端公司(从华为分拆出来的手机部门),审查华为是否正在使用分拆品牌来最小化或规避自己的黑名单影响。

  华为于 2019 年因国家安全问题被美国前特朗普政府列入贸易黑名单,迫使供应商申请向其销售产品的特殊许可。

  该公司去年 11 月表示,由于其手机业务“持续缺乏所需的技术元素”,其消费者业务面临巨大压力,并决定出售其荣耀资产。

  《华盛顿邮报》报道称,在立法者上个月致美国商务部部长吉娜·雷蒙多 (Gina Raimondo) 的一封信中,立法者对该公司提出质疑后,政府正在考虑是否将荣耀列入黑名单。

  华为拒绝置评,路透社援引此前一份声明称,华为不会持有新公司的任何股份,也不会参与新公司的任何业务管理活动。荣耀没有立即回应置评请求。

  英特尔GPU长期委由台积电操刀,其中Intel Arc品牌的绘图处理器(GPU)日前已委由台积电6纳米操刀生产,英特尔高级主管近期再度接受海内外媒体访问时透露决策的关键原因:产能。

  英特尔日前在8月召开的架构日已宣布扩大与台积电在7纳米、6纳米、5纳米等先进制程合作关系,包含Ponte Vecchio资料中心处理器与Arc Alchemist绘图处理器,其中Alchemist绘图处理器委由台积电以6纳米制程操刀生产。

  外界关注相关决策,英特尔首席架构师暨资深副总裁Raja Kodur 提到,主要是考虑产能,英特尔和台积电签订6纳米制程制造Arc GPU的决定主要是考虑到生产力,具体而言,如果英特尔要自行生产该款产品,就需要减少其他芯片的生产,否则没有足够的产能。

  面对媒体询问,Raja也说,委外生产有三个考虑要素,其中首要确定设计最初的生产能力,而英特尔先进制程目前还没有足够的产能。另外其他特性如用量、成本都是重要因素,至于决定何种制程生产则考虑三个因素,即成本、性能、产能。

  集微网消息,据日经亚洲评论报道,日本制造商正寻求在芯片和电动汽车的先进材料领域占据更大的份额,这是陷入美国和中国之间大国竞争的关键出口部门。

  住友金属矿业将从本财年开始为功率控制半导体供应碳化硅芯片。与硅衬底相比,由碳化硅制成的衬底可以承受更高的电压。它们将功率损耗降低了大约 10%,从而延长了电动汽车的行驶里程,预计价格也将下降 10% 至 20%。

  王子控股决定提高汽车领域薄膜电容器材料的产量。Nippon Paper 和 Oji 正在积极进军电动汽车领域,以抵消对纸张需求的下滑。

  Nippon Paper Industries 专注于通过对纸质材料进行改性而创造的一种环保电池材料。羧甲基纤维素的生产将在 11 月大幅扩大,以满足对电动汽车电池阳极材料日益增长的需求。与 2020 财年相比,产能将增加大约五倍。(校对/Jouvet)