中国对无人机实施出口管制，商务部/大疆回应；华天科技L-PAMiD SiP封装实现射频模组创新；台积电CoWoS产能告急谁能分食
2.国产射频前端模组高端化进程加速，华天科技L-PAMiD SiP封装助力国产射频模组突围
4.机构：中国Q2智能手机销量创2014年以来Q2最低水平，vivo夺冠
7.鸿海计划投资5亿美元在印度南部建设两家零部件工厂 生产iPhone零部件
集微网消息 为探索汽车与半导体两大产业协同发展与多重挑战下的产业破局之道，2023年9月8-9日，由《中国汽车报》社、中国半导体投资联盟联合主办，爱集微承办的“2023汽车半导体生态峰会暨全球汽车电子博览会”将在新能源汽车与半导体产业链均拥有强势布局的深圳举办。
展望市场，汽车半导体已成为推进智能电动汽车变革的关键核心。这几年，乘着汽车智能化、电动化、网联化浪潮，汽车半导体的市场需求不断攀升。更为关键的是，要巩固中国车企在电动化智能化领域的成果，持续做大做强，汽车芯片的国产化必须要做。得益于政策、需求、企业以及资本多重因素的同频共振，中国汽车半导体产业取得了一些进展，但需要正视，国产技术还很薄弱，本土汽车芯片厂商在与车企、供应链对接中还存在诸多问题与不足，汽车芯片国产化之路道阻且长。
正是秉持贯通汽车半导体产业生态融合之路，更好地打通汽车上下游生态，以推动中国智能电动汽车产业发展壮大的理念，在前两届峰会努力构建生态所取得的积淀与成绩上，本届峰会在形式与内容上大幅升级与革新，为期2天的会议日程将囊括20场特色活动。届时，来自政府、产业、企业、投资机构等领域的重磅嘉宾将汇聚一堂，纵览全局，解码全球以及中国汽车半导体产业的核心问题、发展脉络，并深入剖析各汽车半导体细分领域的发展现状、机遇和挑战，呈现出一幅综合而全面的思想图景，兼具高度、深度和广度。
“2023汽车半导体生态峰会暨全球汽车电子博览会”日程现已出炉，更多精彩亮点可提前解锁！
本届峰会规格高、阵容强、干货满满，致力于全面覆盖汽车产业链上下游各细分领域，吸引汇聚政、产、学、研、用、投等多个产业圈层，打造集高端行业洞见、资本与资源于一体的行业生态盛宴。
遵循本届峰会“链启芯程 智造未来”的主题思想，在大咖云集、观点激荡的“主峰会”上，国内外整车制造企业、汽车零部件制造厂商、集成电路企业等公司高管将齐聚一堂，共话智能电动汽车产业的发展趋势，对汽车供应链关系重塑的思考，汽车半导体的未来展望以及中国汽车产业链的发展趋势等热点议题。
多场技术分论坛的议题设置更为细分，将囊括当下的汽车电子热点技术，具体涵盖智能座舱、智能底盘、投融资、动力总成、软件定义汽车、ADAS与自动驾驶、车规芯片等领域。
进入智能电动时代，汽车供应链关系的重塑已经展开，产业链上下游正逐渐打破原本的层级隔阂，深度联系与合作，以确保产业韧性和行业健康。随着汽车半导体在智能电动时代的作用日益重要，以及中国车企要在智能电动这一赛道做大做强的决心，车企、供应链与芯片供应商关系的转变更为明显。
作为推动汽车芯片国产化率提升的中流砥柱，越来越多的自主品牌车企设定了车规级芯片国产化率的目标。例如，根据上汽规划，将在2023年底前完成100款本土自制芯片的整车验证；东风汽车集团表示，到2025年将实现车规级芯片国产化率60%，并挑战80%……车企态度的转变，代表了他们在实际的合作中逐渐看到了供应链本土化的可能性，以及对国产芯片的期待越来越高，当然因为车规芯片技术本身难度高和过往积累浅，深度认同和合作还需要一个时间过程。
更为重磅也将备受业内瞩目的是，为搭建产业融合与交流的平台和窗口，今年峰会特别设置了邀请制的汽车产业链高层闭门研讨会、车规芯片国产替代交流会、行业专家面对面环节，在紧跟国家重点发展汽车半导体产业的战略方向下，凝聚产业链上下游的能量，合力突破与解决中国汽车供应链中汽车半导体这一矛盾，以保障汽车供应链安全，提升产业链韧性，让中国汽车行业在全球走得更好更远。
近几十年来，中国汽车半导体产业经历了诸多变革，现已迈向产业新常态。在产业发展过程中，新技术、新模式、新业态等不断涌现，中国汽车半导体产业正成为当下最具潜力的赛道之一。
值此背景下，集微咨询（JW Insights）将携手《中国汽车报》社在峰会期间联合发布《中国汽车半导体产业发展白皮书》。该白皮书立足汽车“新三化”发展背景，重点聚焦中国汽车半导体中的功率芯片、控制芯片、计算芯片、传感芯片、存储芯片等细分领域，针对汽车五大域对上述芯片市场需求的增长情况、国产芯片进展、下游客户应用情况、供应链保障、产业生态建设、投融资情况等方面作详细的分析，以勾勒呈现出中国汽车半导体产业链的全景需求图。
《中国汽车半导体产业发展白皮书》将集合中国本土汽车半导体产业链上下游企业，以更专业的领域细分、更全面的产业分析，全方位展示 “中国速度” ，辅助本土市场创造更多价值与增长，实现新能源时代的企业持续发展与腾飞。
2023年，对中国汽车电子产业整体而言是极不平凡的一年。一方面，中国汽车产业整体竞争力令世界震撼，另一方面，汽车电子作为全球半导体整体市场的重要组成部分，同样在期盼着市场筑底时刻的拐点到来。
鉴于此，与汽车半导体生态峰会暨全球汽车电子博览会一同成长的第三届的“分析师大会”，将在全面深入调研前两届受众需求的基础上，进一步突出“数据校准、有效对接、导向未来”三大目标的实现。
为此，本次分析师大会演讲主题将全方位涵盖汽车电子行业重点关注的动力总成、智能座舱、自动驾驶等等，还包括车规级传感器和化合物功率半导体的技术落地新动向，此外，“软件定义汽车”大潮下带来的政策监管和数据隐私保护等问题也不可忽视。此次分析师大会务求汇聚最鲜活、最前沿的技术与市场分析，为广大半导体企业、投资机构和专业学者提供关键信息和价值参考等资源，以及助力产业企业健康有序和可持续发展。
汇聚全球顶级“头脑风暴”的全球汽车电子分析师大会购票通道已开启，早鸟票正以500元超低价火热开售中，截止时间为9月1日。此后，将不再享受早鸟票优惠价，即9月2日至9月7日，普通票售价为800元，而9月8日现场购票价为1000元。限时抢购火爆进行中，机不可失、席位有限，欢迎踊跃报名！ 群星荟萃、洞察未来，更多精彩敬请期待！
此外，为促进汽车电子新产品、新技术、新材料、新工艺及新装备的推广与经贸交流，本届峰会将重金升级打造全球汽车电子博览会，展示范围覆盖汽车电子技术、车联网、自动驾驶、新能源汽车、零部件及测试等各个领域。相比往届，本届博览会展示规模再扩大，将设置四大专区，即“汽车电子技术专区”、“车联网专区”、“自动驾驶专区”、“新能源汽车专区”，并在展区中间设置“新品汽车展区”，为企业提供丰富的展示机会，推动汽车半导体产业链协调合作、互利共赢。
本着与全球汽车电子全产业链共识、共赢、共发展的理念，还特别邀请对本届汽车博览会有兴趣的品牌和厂商共同参与、共襄盛举，发出“汽车博览会赞助商合作伙伴计划”，旨在推进全球半导体组织、企业有效交流合作，共同积极迎接汽车电子产业链重大发展机遇。
多位重量级嘉宾的演讲与详细议程，随后也即将公布，欢迎持续关注并踊跃参与，让我们一起期待这一场即将开启的行业顶级交流盛宴。
2.国产射频前端模组高端化进程加速，华天科技L-PAMiD SiP封装助力国产射频模组突围
过去十多年来，手机通信功能发生了翻天覆地的变化。一方面通信制式从针对地区和运营商的特定设计向“全球通”设计转变，另一方面通信技术从2G向5G演进，得以实现这一巨大变革的原因正是功率放大器（PA）、滤波器、天线、开关和低噪声放大器（LNA）等支撑通信功能的射频器件的不断升级换代。随着手机智能化提升，需要支持的通信频段、交互通道增多、带宽变大，对射频前端器件的数量和功能要求大幅提升，手机中的射频前端方案日益集成化、小型化、模组化，高集成度射频前端模组已是大势所趋。
受5G渗透率提升的驱动，Yole数据显示射频前端市场规模在2021年达到了190亿美元，预计到2028年将增长至269亿美元；进入2022年后，全球消费电子市场持续低迷，射频前端市场基本与2021年持平，但中长期来看，这一市场仍然充满前景。
近几年在国内庞大的终端市场需求、国产替代浪潮及资本加持下，中国射频前端产业发展步入快轨，一批具有代表性的射频前端企业不断涌现。不过，虽然5G技术的应用进一步拉升了射频前端器件市场空间，但国内厂商一时间难攻破由Skyworks、高通、Qorvo、博通与村田等国际射频巨头建立的市场壁垒，在行业进入下一个高速增长周期前，本土射频前端产业链从设计、制造到封测，向模组化、高端化市场进阶的需求日益迫切。
根据集成方式的不同，射频前端模组主集天线射频链路包括FEMiD（集成射频开关、滤波器和双工器）、PAMiD（集成多模式多频带PA和FEMiD）、L-PAMiD（LNA、集成多模式多频带PA和FEMiD）等；分集天线射频链路可分为DiFEM（集成射频开关和滤波器）、LFEM(集成射频开关、低噪声放大器和滤波器)等。
由上图射频前端模组的组成结构不难看出，L-PAMiD模组是集成了目前常见的分立多模多频PA、LNA、射频开关、滤波器以及双工器等独立射频器件的射频前端模组，也是目前集成度最高、设计难度最大、封装工艺最复杂的射频前端模组。这类高端射频模组的市场，目前主要由美商博通、Qorvo、Skyworks、高通（RF360）等厂商占据。
从Qorvo公司M/H L-PAMiD模组可见，该类产品集成了17颗BAW，2颗GaAs HBT，以及6颗SoI和1颗CMOS控制器，设计以及封装技术难度堪称射频前端领域最高。相比于单颗分立PA芯片的价格已经降到几十美分，这类复杂模组的售价可以达到3~4美元甚至更高。因此射频模组是未来射频前端器件的必然之路，有望成为竞争的主战场。
Yole预测，到2026年，射频前端模组市场规模将达到155.38亿美元，约占射频芯片市场的71.70%。其中接收模组市场规模将达到33.39亿美元，发射端PA模组市场规模可达到94.82亿美元。目前智能手机中高端机型多使用集成度高的PAMiD/L-PAMiD方案，但中低端机型也开始配置L-PAMiD，方案呈现下沉趋势。
观察国内射频前端产业，当前已经在PA、开关、天线等领域取得了令人欣喜的成绩，例如在2G至4G的单颗分立PA上国产厂商占据了全球市场的主导地位，5G PA市占率也在稳步提升，射频开关/LNA领域更是诞生了全球龙头企业。
但模组方面，即使是简单的5G PAMiF和LFEM模组领域，国内也才起步量产2年左右，由于设计集成难度大且受制于没有自己的SAW 和BAW技术，大部分企业只能从国外大厂采购滤波器，这又面临供应受限的可能，因此国内几家领先的射频公司也才刚起步研发和小量试产L-PAMiD SiP模组，相比于上文提及的4家美国射频巨头公司落后了5年以上的时间。
可喜的是，国内众多射频前端企业早已聚焦于研发生产SAW和BAW滤波器，在研发和工艺提升方面都取得了重大的进步，开始有能力为国内射频前端模组的设计、研发和生产提供保障。虽然在性能指标和工艺制程方面与国际巨头仍有不小的差距，但是已经可以满足基本要求，模组设计公司也要在实际使用过程中不断和国内滤波器厂家进行合作试用、找差、改进、再试用的循环推进，共同保障国内高端射频PAMiD SiP模组的设计研发和生产供应，在努力追赶国外巨头技术的同时，做到关键器件的国产替代和自主可控。
射频前端模组作为高度集成的器件，核心在于需要极强的系统整合能力，对整个模组架构、设计、封测都提出了更高的要求，包括简化设计、小型化、降低能耗、降低解决方案成本、提高系统性能等诸多方面。除了设计，射频前端模组对封测能力也提出了更高的要求。
例如2022年华天科技率先与国内2家射频设计公司合作研发的L-PAMiD模组，产品设计要求在更小的尺寸上实现产品功能的高度集成带来了产品内部的高密度贴装，其中被动元器件间距、WLP与die间距、die to die间距等都在突破现有封装设计规则，这给SMT贴装、清洗、塑封等制程带来了巨大的挑战，GaAs芯片容易发生crack、SAW（WLCSP封装）滤波器的bumpvoid 和虚焊问题，以及挑战目前SMT贴装极限能力的008004（公制0201）MLCC器件的贴装和塑封完全填充，都是L-PAMiD模组封装过程中要解决的工艺难点。
此外，对于SiP而言，由于系统级封装内部走线的密度非常高，普通的PCB难以承载；而IC载板的多层数+低线宽线距则更加契合SiP要求，更适合作为SiP的封装载体。为了追求产品极致性能和高可靠性，华天科技协同客户开发的L-PAMiD模组采用了coreless工艺的8层基板，要求基板侧面有多层漏铜来增强EMI Shielding电磁屏蔽性能，且模组背面四角焊盘使用绿油开窗增大焊盘面积提升产品板级可靠性；这些特殊设计在封装过程中产生诸工艺难题，如成品切割时的基板绿油分层、侧面铜层氧化/变形、Sputter溢镀和镀层分层等，给产品封装带来了很大的工艺难度。
华天科技指出，从最简单的分集模组DiFEM、LiFEM到集成度最高的L-PAMiD等主集模组，实现的功能越来越多，也要求越来越多的分立器件集成在一个模组中，而且手机要求模组的尺寸越小越好，这对产品设计带来了极大地挑战，需要不断突破现有的设计规则上限。此外，模组中集成的不同滤波器采用了不同的材料和制造工艺，包含了LTCC、WLP和CSP三种主要的封装形式，在模组封装中都面临不同的挑战。比如LTCC主要需解决焊接后倾斜和塑封完全填充的封装难题；WLP主要需要解决bump虚焊和bump void的封装难题；CSP则最主要是解决背面焊盘焊接后的锡膏空洞过大和塑封完全填充的难题。
因此随着模组中器件的密集度更高，如何保证封装中的贴装精度、焊接后彻底清洗干净、塑封完全填充严实、EMI shiedling的全覆盖和结合性、产品可以经受严格可靠性考核等都是模组封装面临的重要考验。
5G到来之后，手机终端需要支持更多的频段。并且5G定义了3GHz以上、6GHz以下的超高频（UHB）频段，对射频前端性能提出了更高要求，单部手机中的射频前端模块数量不断增加，以往射频前端模组所采用的单面SiP逐渐无法满足有限空间的小型化要求，DSMBGA（Double Side Molding BGA）双面塑封BGA SiP工艺走上舞台，并逐渐成为行业技术的未来发展方向。
DSMBGA主要用于射频前端模组领域，将原先的单面SiP模组做成双面后，模组的外形尺寸减少20%以上，产品厚度只增加不到0.2mm，而且将多个频段集成在一个模组实现，可以更好地满足手机对模组更小尺寸、更全性能的要求。
伴随着国产射频前端模组向最高集成度稳步迈进，国内可与之匹配的先进封装技术的同步发展也迫在眉睫。
华天科技自2015年开始射频PA产品的封装技术研发和生产工作，客户覆盖国内主要PA设计公司。从早期的2G/3G/4G PA，到近两年的5G PA模组封装都保持着国内封装厂商的领先地位和主要市场份额。
在射频前端模组领域，华天科技早在2019年协同客户一起进行5G L-PAMiF和L-FEM模组套片的封装工艺研发和工程样品试制。针对GaAs FC die的特殊材质和bump结构易发生UBM crack、bump crack的高风险点，华天科技基于内部仿真数据指导，和多年单颗分立射频器件封装经验积累，从基板设计、塑封料选择、超薄钢网小颗粒锡膏的连续稳定印刷、化学水洗工艺匹配、塑封工艺优化等多个技术难题进行了攻关突破，成功保证了5G L-PAMiF和L-FEM模组在国内率先量产，目前已经累计出货过亿颗，未发生产品质量异常客诉。客户产品性能优异，比肩国际竞商产品，也率先进入三星、vivo等手机品牌供应链。
华天科技射频前端模组产品技术路线G L-PAMiF模组的研发生产保持国内封装厂商领先地位的基础上，基于过去3年积累的量产经验，华天科技于2022开始在L-PAMiD模组上集中工程力量进行技术攻关，通过大量的工程DOE实验，成功解决了前文列举的各项封装工艺难题，封装产品通过了客户的性能测试和多次可靠性考核，仅用时5个月就实现了产品从NPI build到100K再到KK级的量产规模，产品封装测试良率、可靠性均满足客户要求，再次取得了射频模组封装工艺研发和规模量产在国内封装厂商的领先地位。
2023年以来，华天科技与多家射频设计公司联合进行DSMBGA产品的封装工艺研发，封装技术的主要挑战在于如何保证塑封后的基板翘曲平整度、密集器件和滤波器、die的塑封完全填充、strip grinding精度控制和防止die crack、激光烧球准确度控制、EMI共形屏蔽和分腔屏蔽实现等等。目前，华天科技已基本解决以上封装工艺难题，双面塑封产品线月底已经完成国内某客户首个产品工程样品的客户送样，年内有望实现量产。
据悉，华天科技目前正和客户合作研发迄今为止国内封装厂最复杂的DSMBGA产品，在技术攻关和量产实现后，华天科技不仅将持续保持国内射频模组SiP封装的领头羊地位，还将极大地刺激和鼓励国内射频前端设计公司向双面塑封方向投入研发，助力客户追赶国外射频巨头如Skyworks、Qrovo、博通等企业，为国产射频前端产业添砖加瓦！
集微网消息，据商务部网站消息，商务部、海关总署、国家国防科工局、装备发展部发布关于对无人机相关物项实施出口管制的公告，自2023年9月1日起正式实施。
有记者提问称，7月31日，商务部、海关总署、国家国防科工局、装备发展部联合发布了关于无人机出口管制的两个公告。请问中方此次出台对无人机出口管制政策，有什么考虑？
商务部发言人表示，经批准，7月31日，中国商务部会同相关部门，发布两个关于无人机出口管制的公告，分别对部分无人机专用发动机、重要载荷、无线电通信设备和民用反无人机系统等实施出口管制，对部分消费级无人机实施为期2年的临时出口管制，同时，禁止其他未列入管制的所有民用无人机出口用于军事目的。上述政策将于9月1日起正式施行。此前，我们已经向有关国家和地区作了通报。
商务部发言人称，高性能无人机具有一定军用属性，对其实施出口管制是国际惯例。2002年起，中国逐步对无人机实施出口管制，管制范围、技术标准与国际保持一致。近年来，无人机技术快速发展，应用场景不断拓宽，部分高规格高性能的民用无人机转用军事风险不断上升。中国作为无人机主要生产国和出口国，在充分评估论证的基础上，决定适度扩大对无人机的出口管制，不针对任何特定国家和地区。
商务部发言人强调，中国政府始终致力于维护全球安全和地区稳定，一贯反对将民用无人机用于军事目的。此次中方适度扩大无人机管制范围，是展现负责任大国担当、践行全球安全倡议、维护世界和平的重要举措。中方始终认为，科技进步应当造福各国人民。中国政府坚定支持中国企业在民用领域开展无人机国际贸易与合作。需要指出的是，出口管制不是禁止出口。只要用于合法民事用途，在履行相关程序后，都可以正常出口。未来，对于内部合规制度运行良好的出口企业，主管部门将积极采用通用许可等便利措施，支持企业合规出口。
大疆回应：据环球时报消息，大疆已对新出台的出口管制做出回应：“大疆作为一家全球化企业，在出口管制领域始终保持严谨负责的态度。大疆一直严格遵守并执行中国及其他业务所在国或地区所适用的出口管制法律法规。”
对于公告的相关要求，大疆方面表示，大疆始终致力于设计、开发、制造民用无人机产品。自成立之初，我们一直坚决反对将我司产品和技术用于任何军事或战争用途。我们从未设计和制造过军事用途的产品和设备，也从未在任何国家推销或销售我们的产品用于军事冲突或战争。我们也将严格遵守中国政府今日发布的无人机临时出口管制政策，确保全面合规，认真履行企业社会责任，让科技更好造福人类。
公告原文如下：根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国务院、批准，决定对特定无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇相关物项实施出口管制。有关事项公告如下：
（二）满足一定技术指标的专门用于特定无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇的载荷，包括红外成像设备、合成孔径雷达和用于目标指示的激光器。
2.作用距离大于5千米（km），且具有下述任一特性的合成孔径雷达（SAR）（参考海关商品编号：8526109011）：
3.可在高于55摄氏度（℃）环境中稳定工作，且具有下述任一特性的用于目标指示的激光器（参考海关商品编号：9013200093）：
（三）专门用于特定无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇，且具有下述任一特性的无线电通信设备（参考海关商品编号：8517629910、8517691002、8526920010）：
1.干扰范围大于5千米（km）的反无人机电子干扰设备（参考海关商品编号：8543709960）；
2.专门用于反无人机系统的输出功率大于1.5千瓦（kW）的高功率激光器（参考海关商品编号：9013200093）。
技术说明：“特定无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇”是指满足商务部、海关总署公告2015年第31号（《关于加强部分两用物项出口管制的公告》）中1.1款所列条件的无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇。
二、出口经营者应按照相关规定办理出口许可手续，通过省级商务主管部门向商务部提出申请，填写两用物项和技术出口申请表并提交下列文件：
三、商务部应当自收到出口申请文件之日起进行审查，或者会同有关部门进行审查，并在法定时限内作出准予或者不予许可的决定。
对国家安全有重大影响的本公告所列物项的出口，商务部会同有关部门报国务院批准。
四、经审查准予许可的，由商务部颁发两用物项和技术出口许可证件（以下简称出口许可证件）。
五、出口许可证件申领和签发程序、特殊情况处理、文件资料保存年限等，依照商务部、海关总署令2005年第29号（《两用物项和技术进出口许可证管理办法》）的相关规定执行。
六、出口经营者应当向海关出具出口许可证件，依照《中华人民共和国海关法》的规定办理海关手续，并接受海关监管。海关凭商务部签发的出口许可证件办理验放手续。
七、出口经营者未经许可出口、超出许可范围出口或有其他违法情形的，由商务部或者海关等部门依照有关法律法规的规定给予行政处罚。构成犯罪的，依法追究刑事责任。
统计显示，4月和5月，中国智能手机销量疲软，而6月“618”电商购物节，提振销量实现25%的环比增长。然而今年“618”促销季（6月1日~18日）的表现相比去年下降8%，拖累整个6月的销量也同比下降6%。
分厂商来看，机构统计显示二季度vivo（包括iQOO）销量占比17.7%重新夺得市场领先地位，Y35系列、Y8系列和新发布的S17系列表现强劲。在经济不景气的环境下，高端市场更具有韧性，苹果销量同比增长7%，市场份额17.2%位居第二。OPPO（包括一加）和苹果不相上下，以17.2%的份额并列第二。
机构表示，在OPPO的渠道支持下，一加保持了自2023年第一季度以来强劲的增长势头，第二季度实现254%的同比增长。另一方面，一加采用以线上电商平台为中心的商业模式，有效开发这一细分市场，大力弥补了OPPO线上电商业务的不足。
华为2023年的产品发布回归正常，供货充足，因此二季度销量同比大涨58%，市场份额也恢复至第六位，占比达11.3%。
由于竞争加剧，二季度荣耀销量同比下滑21%，小米下滑9%，以15.0%、14.0%的市场份额位列第四、第五位。
Counterpoint表示，由于中国智能手机市场2023年上半年的表现不尽人意，因此将该市场的2023全年预测，由“增长持平”下调至“同比低个位数下降”。虽然机构预计下半年智能手机销量将比上半年有所改善，但影响上半年表现的挑战因素继续存在，暂未看到强势的回升前景。
据台媒电子时报报道，消息人士称，如果没有封装设施，当台积电在美国亚利桑那州和日本熊本的新晶圆厂在2024年底开始大规模生产时，芯片的最终封装仍需要在中国台湾完成，这使得他们的当地生产目标只能完成一半。
据悉，数月前英伟达AI GPU需求急速导致台积电CoWoS先进封装产能严重不足，近日台积电总裁魏哲家坦言，先前与客户电话会议，要求扩大CoWoS产能。设备厂商估算，台积电2023年CoWoS总产能逾12万片，2024年将冲上24万片，其中，英伟达将取得14.4万~15万片。
上个月，台积电董事长刘德音表示，台积电自有先进封装产能去年迄今几乎翻倍增长，今年到明年若又要翻倍，“确实是挑战”。为应对明年先进封装的CoWoS产能扩产，甚至把一些InFO产能挪到南科去，台积电希望能在龙潭扩张CoWoS产能，很多计划都会积极推动，希望应对客户即时需求。
尽管台积电在最新的业绩说明会中强调不认为在 AI 能在今年下半年驱动半导体需求恢复增长，但仍然为英伟达等主要AI芯片的客户启动了CoWoS产能扩张计划。然而远水救不了近火，CoWoS严重短缺的当下，谁有机会分得一杯羹？
缘何逆袭？2022年下半年以来，半导体行业景气度急转直下，过高的产业链库存，使得除汽车领域之外的大部分代工、封测市场进入了产能过剩的状态。近期TrendForce的数据显示，与前两年的订单满载截然不同的是，当前各大晶圆厂的产能利用率未达到峰值。8英寸晶圆产线中，台积电、联电、世界先进、力积电和中芯国际（约当8英寸晶圆）的产能利用率预计分别下降至97%、80%、73%、86%和79.5%；12英寸晶圆产线，台积电、三星、联电产能利用率分别下降至96%、90%、92%。封测方面，IDC最新研究显示，由于封测厂仍处于清库存阶段，上半年产能利用率大部分维持在50%-65%，随着库存调整后的需求温和复苏，下半年有望回升至60%-75%，甚至来自先进封装的部分急单能让产能利用率提升至80%，然而仍与2022年的70%-85%仍有差距。
然而就在这样的颓势下，台积电连月来不断传出CoWoS先进封装产能告急的声音。究其原因，正是ChatGPT为代表的AIGC驱动英伟达、AMD等公司的高性能计算芯片GPU、CPU等需求井喷，而这些芯片大多采用了台积电的CoWoS封装。
TrendForce最新报告指出，目前主要由搭载英伟达A100、H100、AMD MI300，以及大型数据中心厂商如谷歌、AWS等自主研发的AI服务器成长需求强劲，预计2023年AI服务器（包含搭载GPU、FPGA、ASIC等）出货量预估近120万台，年增率近38%，AI芯片出货量同步看涨，可望成长突破五成。
在全球对于AI数据中心算力的旺盛需求推动下，英伟达的GPU订单也在不断飙升，其最高端的H100在明年第一季度之前都是售罄状态。为此，英伟达近月来都在争取台积电对其A100、H100等AI GPU的产能支持，同时亚马逊AWS、博通、思科和赛灵思等公司也都提高了对台积电的产能需求。这些芯片无一例外都使用了台积电的CoWoS封装。
例如英伟达H100采用台积电4N工艺、CoWoS-S 2.5D封装。芯片流片在台积电位于台南的Fab 18厂，与其N5工艺共用相同的机台，由于PC、智能手机和非AI相关数据中心芯片的需求严重疲软，台积电N5工艺的产能利用率降至70%以下，因此H100的晶圆生产没有任何问题，甚至因吸收了台积电的闲置先进产能而获得一些定价优势。而这些流好片的晶圆（WIP）存放在晶圆库中，等待CoWoS产能才能继续封装成为最后的成品。
供应链消息显示，仅英伟达今年对CoWoS的需求就达到4.5万片，比年初预计的3万片大幅增加了50%，台积电原本产能就不多的CoWoS湿制程更难以满足如此庞大的需求。
除了CoWoS产能，HBM（高带宽存储）也正成为限制AI处理器的另一个重要瓶颈。用于数据中心中的GPU，扩展内存带宽越来越重要，尤其AI服务器中推理和训练工作负载是内存密集型的，随着人工智能模型中参数量的指数级增长，仅模型权重参数的大小就已达到TB级。因此，AI处理器的性能受到从内存中存储和检索训练和推理数据的能力的制约，这就是俗称的“内存墙”问题。
集微分析师指出，由于HBM拥有比DDR SDRAM更高的带宽和更低的耗能，已经成为HPC处理器的首选内存技术，现阶段没有其他替代选择，在高端AI服务器GPU搭载HBM芯片更已是主流。比如英伟达A100，H100，以及在最新整合CPU及GPU的Grace Hopper芯片中，单颗芯片HBM搭载容量提升20％，达96GB；AMD更是大量采用HBM，其中MI300搭载HBM3，MI300A达128GB，更高端的MI300X则提升了50％，高达192GB。而谷歌在下半年推出的TPU张量处理器，据传也搭载HBM存储器，以扩建AI基础设施。
这极大地推动了HBM的技术更新以及市场增长。作为新一代内存解决方案，HBM市场被SK海力士、三星、美光三大DRAM原厂牢牢占据。TrendForce调查显示，2022年HBM市占率分别为SK海力士50%、三星约40%、美光约10%，预计2023年全球HBM需求量将年增近六成，达到2.9亿GB，2024年将再增长30%。
作为HBM的先驱，SK海力士在技术和市场占有率上都更胜一筹，是最新一代的HBM3的唯一大批量供应商，市场份额超过95%，今年将推出具备8Gbps数据传输性能的HBM3E样品，并将于2024年投入量产。与此同时，三星和美光也将HBM作为下一步业务增长的关键动力。三星表示将投资1万亿韩元扩大HBM产能，并于今年推出HBM3产品；美光预计其相关HBM产品“将在2024财年贡献有意义的收入，并在2025年贡献大幅增加的收入”。
在存储市场仍处于寒冬的背景下，几大存储厂商在过去一段时间都进行了减产动作，而HBM的需求突然降临无疑被其视为“救命稻草”。不过，虽然这三大存储芯片制造商正将更多产能转移至生产HBM，但由于调整产能需要时间，很难迅速增加HBM产量，预计未来两年HBM供应仍将紧张。
由于GPU核心与HBM堆栈通过CoWoS封装在同一基板上，HBM的产能紧张也在一定程度上限制了AI处理器的出货。
在产能需求持续升级之下，台积电才从一开始的保守转而在Q2业绩法说会上确认将积极扩充CoWoS产能，将投资900亿元新台币(约28.7504亿美元)打造位于竹科铜锣园区的先进封装厂，预计2026年底建厂完成、2027年第三季开始量产，月产能达11万片12英寸晶圆，涵盖SoIC、InFO以及CoWoS等先进封装技术，同时将明年的CoWoS月产能提升至今年的2倍。CoWoS是台积电于2011年发布的2.5D先进封装技术，至今已演进至第六代，根据不同的中介层主要分为CoWoS-S（硅中介层）、CoWoS-R（RDL中介层）、CoWoS-L（LSI+RDL中介层）三种。
简单来说，CoWoS是先将芯片通过Chip on Wafer（CoW）的封装制程连接至硅晶圆，再把CoW芯片与基板连接，整合成CoWoS。利用这种封装模式，使得多颗芯片可以封装到一起，通过硅中介层互联，达到了封装体积小、功耗低、引脚少的效果。
“其核心关键技术包括中介层、RDL、TSV、μBump等，需要前后道工艺结合，挑战在于散热、芯片间的信号串扰和延迟、设计布局以及可靠性等问题。”集微咨询分析师指出。
多年来，台积电针对CoWoS技术的开发重点之一是支持不断增加的硅中介层尺寸，
目前，日月光、安靠、联电和三星等厂商都被指因台积电产能紧张而受益，那么究竟谁能分得一杯羹呢？根据台媒消息，英伟达从6月下旬起，已开始推动台积电向传统封装厂商合作伙伴发送硅中介层载板产能需求，并同步推动联电扩大2024年硅中介层载板产能；同时近期安靠和日月光均在与CoWoS设备供应商密集洽谈，很可能意味着将进行扩产。
先进封装技术专家王为（化名）对集微网分析，CoWoS生产拆分成两个部分是可行的，但是涉及到很多工艺的know-how，并且材料成本很贵，“能做”和“能做好”有很大的差别。“客户的SoC Die、HBM堆栈等成本都很贵，如果良率不佳，将导致最终封测成品价格远高于台积电。”他指出，“如果一个完整流程涉及不同公司，或半成品在不同厂房之间运输，也会带来商务纠纷的风险以及运输方面的麻烦。”
比如联电，最近在先进封装方面频频发力。根据该公司官网资料，联电是全球首个提供硅中介层制造开放解决方案的代工厂，即通过联电+OSAT的合作模式，由联电完成前段2.5D TSI硅中介层晶圆（FEoL+TSV+FS RDL），然后交由封测厂完成中段MEoL和后段BEoL工序。
在7月28日的日月光法说会上，该公司已经证实，正在与代工厂合作中介层相关技术，并具备CoWoS整套制程的完整解决方案，预计今年下半年或明年初量产。
集微分析师指出，虽然各家的2.5D工艺，对应的中介层层数、TSV的尺寸、所用的材料、曝光次数及效率的差异都会影响最终成本，在某种程度上也是资金实力的竞争，因为高端设备十分昂贵，买得起更好的设备生产出来的产品也更好。在这方面，台积电因为先进制程的优势自然也具备更高端的设备。“
需要在晶圆上对芯片进行更精确的堆叠和互连，因此更高精度的电镀等先进设备必不可少。”例如，硅中介层的最大尺寸受掩模版的曝光尺寸限制，因而与所用的光刻机种类相关。根据此前台积电公布的CoWoS路线图，今年推出的第六代CoWoS_S工艺，硅中介层尺寸达到了3400mm2左右，可支持更多HBM堆栈，而这无疑对光刻机提出了更高要求。此外，TSV的制作挑战在于高深宽比的通孔和高密度引脚的对齐，生产过程中包括深孔刻蚀、气相沉积、铜填充、CMP、晶圆减薄、晶圆键合等工艺涉及的设备均与TSV性能息息相关。
另一位业内专家大可（化名）告诉集微网，与台积电CoWoS类似的2.5D先进封装技术还有三星的I-Cube/H-Cube、日月光的FOCoS-Bridge、英特尔的EMIB等。三星的I-Cube包括I-CubeS和I-CubeE量子方案，最新一代的I-CubeS，I-CubeS 8的硅中介层拥有3倍标线个逻辑裸片；I-CubeE支持嵌入式硅桥裸片，对大中介层而言，更具成本效益。H-Cube是三星推出的另一种2.5D封装解决方案，主要是采用面积较小的ABF基板或FBGA基板叠加大面积的HDI基板的方式，来解决当前PCB严重短缺的问题。
“虽然三星在2.5D先进封装方面已经布局多年，百度2018年推出的第一代百度昆仑AI芯片正是基于三星14nm工艺及I-Cube封装解决方案，但是前道代工业务较弱也在一定程度上影响了其先进封装业务的进展，因而至今客户仍然很少。”大可指出。不过随着台积电CoWoS短期内难以满足客户需求，三星有希望能接到部分订单，并且三星的优势在于它是唯一一家拥有从内存，处理器芯片设计、制造到先进封装业务组合的公司。
日月光方面，除了与代工厂合作完成2.5D封装，也在开发自己的完整解决方案。该公司在今年5月底推出了FOCoS-Bridge，在70mmx78mm尺寸的大型高效能封装载板中，包含两颗相同尺寸47mmx31mm的FOCoS-Bridge的扇出型封装结，可通过8个硅桥（Bridge)整合2颗ASIC和8个HBM堆栈，面向AI和HPC应用。日月光强调，FOCoS-Bridge可提供与硅中介层相似的电气、信号和电源完整性性能，但成本更低，并且没有掩模版尺寸限制。
最后，大陆整体封装产业尽管已跃居全球领先地位，但是在以TSV为代表的2.5D/3D等先进封装领域仍然较为薄弱。尤其当前采用2.5D/3D先进封装的芯片都是前沿先进工艺制程，线宽和芯片间距越来越小，比如当下主流的HBM3对线μm，目前只有代工厂有能力在硅中介层上将线μm以下，封装厂还不具备这一能力；国内封测龙头长电科技披露的XDFOI平台当前可以实现3-4层高密度的RDL走线，其中介层线μm。
而根据集微咨询发布《2022年中国集成电路封测产业白皮书》，2022年中国大陆本士综合性封测企业营收TOP10中，仅有长电科技、通富微电、华天已具备2.5/3D封装能力。据悉，国内在这一领域的主导者和主要推动者是H公司。
当越来越多的国产大模型进入到追赶GPT的队伍中，在进口高性能AI处理器受限的情况下，国产GPU的发展有望迎来随着巨大的算力需求缺口而产生蝶变，这就要求下游制造、封装技术也尽快提升，为突破AI领域的封锁补齐短板。并且，在国内先进制程发展受阻的情况下，加速2.5/3D等先进封装领域的追赶才能尽力弥补先进制程能力不足的遗憾。
据悉，印度卡纳塔克邦已于2023年3月批准鸿海子公司投资800亿卢比（约合9.72亿美元）建厂，这也是继安得拉邦和泰米尔纳德邦之后，第三个允许富士康建厂的印度南部邦。
集微网了解到，有消息称鸿海子公司工业富联与泰米尔纳德邦签署了一项协议，计划投资 160 亿卢比建设一座新的电子元件制造工厂，该工厂将创造 6000 个就业岗位。不过这一消息尚未经过官方确认。
